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[面试问题] 电子行业招聘笔试题分享

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发表于 2014-11-29 05:06:47 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
电子行业公司笔试题目分享:
1、请描述一下国内的工艺现状。(仕兰微面试题目)
2、半导体工艺中,掺杂有哪几种方式?(仕兰微面试题目)
3、描述你对集成电路工艺的认识。(仕兰微面试题目)
4、列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么?(仕兰微面试题目)
5、描述cmos电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果?(仕兰微面试题目)
6、解释latch-up现象和antenna effect和其预防措施.(未知)
7、什么叫latchup?(科广试题)
8、什么叫窄沟效应? (科广试题)
9、什么是nmos、pmos、cmos?什么是增强型、耗尽型?什么是pnp、npn?他们有什么差别?(仕兰微面试题目)
10、硅栅coms工艺中n阱中做的是p管还是n管,n阱的阱电位的连接有什么要求?(仕兰微面试题目)
11、画出cmos晶体管的cross-over图(应该是纵剖面图),给出所有可能的传输特性和转移特性。(infineon笔试试题)
12、以interver为例,写出n阱cmos的process流程,并画出剖面图。(科广试题)
13、please explain how we describe the resistance in semiconductor. compare  the resistance of a metal,poly and diffusion in tranditional cmos  process.(威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09)
14、说明mos一半工作在什么区。(凹凸的题目和面试)
15、画p-bulk 的nmos截面图。(凹凸的题目和面试)
16、写schematic note(?), 越多越好。(凹凸的题目和面试)
17、寄生效应在ic设计中怎样加以克服和利用。(未知)
18、unix 命令cp -r, rm,uname。(扬智电子笔试)
19、太底层的mos管物理特性感觉一般不大会作为笔试面试题,因为全是微电子物理,公式推导太罗索,除非面试出题的是个老学究。ic设计的话需要熟悉的软件:
cadence,synopsys, avant,unix当然也要大概会操作。
       
                   
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